GLOBALFOUNDRIES与高通公司合作

　　美国拉斯维加斯，2010年1月7日——先进半导体制造技术的领先供应商GLOBALFOUNDRIES与先进无线技术、产品和服务的领先开发及创新厂商高通公司今天宣布，双方已签订一项非约束性的谅解备忘录，就前沿技术展开合作。首先，GLOBALFOUNDRIES有意向为高通公司提供前沿的45纳米低功耗（LP）和28纳米LP技术，并寻求未来在先进的处理节点技术上展开合作。

　　“随着我们的客户对移动体验的高性能、低功耗、功能性和便携性提出越来越高的要求，强大的制造和技术基础比以往任何时候都更加重要。”高通CDMA技术集团高级副总裁兼运营总经理Jim Clifford表示。“GLOBALFOUNDRIES凭借其制造能力和技术演进路径图，完全具备了帮助我们实现下一代的无线创新的能力。”

　　高通公司的集成无生产线制造（IFM）模式在半导体开发周期中的各方间建立起紧密的技术对接，从而提高了效率，降低了成本，缩短了新产品的上市时间。高通公司IFM战略的一个关键组成部分是多代工厂模式，在有助于确保向高通公司的终端制造客户的供应产品的同时，使公司可以灵活地应对快速变化的市场需求。该IFM模式旨在加快高通公司的技术执行，并满足无线半导体市场中预计会呈现的指数式增长。

　　高通公司计划与GLOBALFOUNDRIES建立的合作关系将专注于高通公司的无线业务，为基于CDMA2000、WCDMA和4G/LTE蜂窝标准的、包括新兴的智能本终端类别在内的手持产品提供技术。双方预计，GLOBALFOUNDRIES位于德国德累斯顿的代工工厂将于2010年2月1日起接受高通公司的设计。

　　“作为全球最大和最成功的半导体设计公司之一，高通公司需要获得业内最先进的技术以及将其快速推向市场的能力。”GLOBALFOUNDRIES首席执行官Douglas Grose表示。“通过将先进的IDM（垂直集成器件制造商）模式的优势带入代工领域，我们使客户的先进产品能在最短的时间内推向市场，实现大批和稳定的量产。随着作为市场领先者的高通公司为未来创造全新类别的无线产品和技术，我们很高兴能有机会与高通公司合作。”

　　除了先进的技术节点领域外，两家公司还有意寻求在其他领域展开合作，如晶粒封装合作和3D封装技术等。